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[硬盘] 东芝企业级NVME PX04PMB080 800GB企业级应用模拟简测

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DDOS纪念勋章

发表于 2016-4-6 22:20:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 gaojie20 于 2016-4-10 16:13 编辑

1.jpg



前言


东芝PX04PMB080 800GB属于东芝中耐久度企业级NVME SSD产品,U2接口,PCIE3.0X4的带宽需求量,MTTF平均无故障运行时间是200万小时,DWPD显示5年每日写入量是10P/E也就是8T,那么官方的终身写入量计算出来就是14600TB,如果我们换算成P/E就是365X5X10=18250P/E。

33.png
速度上东芝对PX04PMB系列并未因为容量不同而对速度有阉割,无论是3.2T/1.6T/800GB都是一样的速度,说明这三款都是塞满了主控的最大通道数的颗粒,所以才能在不同容量达到相同效能。能做到这点其实不简单,归功于东芝的NAND工厂资源丰富,可以为东芝定制出各种规格型号的NAND闪存来适配产品。
这个系列的产品2015年9月份发布,半年过去了,目前国内外并未有相关的评测内容放出,所以接到这个产品后压力很大,尽力在个人能力和认知范围内对产品作为力所能及的客观评估。全球首测也好,全国首测也好,其实不重要,重要的是如何来客观反映这个产品的性能,来让大家能对产品有个直观的认识。

下面是官标的一些参数的汉化版仅供参考

容量的定义: 依 Toshiba 定义,1MB 代表 1,000,000 字节,1GB 代表 1,000,000,000 字节,1TB 代表 1,000,000,000,000 字节。但电脑操作系统使用 2 的次方来定义 1GB = 230 = 1,073,741,824 字节,因此显示的储存容量较低。可用的储存容量 (包含各种媒体档案的范例) 取决于档案大小、格式、设定、软件、操作系统 (如微软操作系统或内建的应用程序) 及媒体内容。实际格式化容量可能不同。
DWPD: 每日整盘写入。一次每日整盘写入表示驱动器可在声明的产品保修期(五年)内每天写入和重写至完整容量一次。实际结果可能会因系统配置、使用情况和其他因素而有所差异。
视主机装置、读写状况及档案大小而定,读写速度可能改变。

第一章 外观

正面
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背面
2.jpg

铭牌提供的信息量:
3.jpg
型号:PX04PMB080
生产日期:2015年10月5日
固件版本:0101
硬件版本:A0
菲律宾制造
NVME系列产品

U2接口
4.jpg

侧面
5.jpg

尾部
6.jpg

第二章 拆解

六面观都看完之后,下面我将对产品进行一个拆解。
7.jpg

开盖后,可以发现,正面黑色的齿状散热片是专供主控散热的部分。
8.jpg

主控TOSHIBA TC58NC1032GTC明显在下面的第二层PCB上。
9.jpg

两层PCB是通过这个白色的插针口相连。
10.jpg

第一层PCB正面主要包含三颗闪存,反面三颗闪存,闪存型号:TH58TFG9EFKBA8K,东芝A19NM EMLC颗粒;
6颗35V 220UF的电解电容作为掉电保护的主要元器件存在。可以说整个掉电保护电路都在第一层PCB上。
12.jpg 11.jpg

打开背盖,可以看到第二层PCB的背面,7颗闪存 4颗缓存
13.jpg

最终拆解完毕之后的一览图。整个SSD拆分为两层盖板,一个中框,两层PCB,总五个部分。
15.jpg

四颗缓存是镁光的5ME77 D9QBJ,1.35V DDR3L 1600颗粒,单颗512MB容量,四颗组成2GB的缓存容量。
16_副本.jpg

主控TOSHIBA TC58NC102GTC,铁壳封装,上标MARVELL字样,说明继续了东芝和美满合作主控的传统。由东芝对美满公司的专利主控进行修改之后在台积电进行28NM流片再造,然后配合自己研发的固件。
17_副本.jpg

MPFC5505A和6颗35V 220UF的电解电容构成了掉电保护的核心部分
18-.jpg 19.jpg

这两个PCB正反看完,18颗闪存,4颗缓存,1颗主控,掉电保护电路全部看完了,下面开始分析。

第三章 IC分析

东芝TC58NC1032GTC 既然是MARVELL主控的原型,那么我以为能找到溯源,根据时间来看这块SSD的发布日期是2015年的8月,那么东芝还要对此款产品进行重新定位设计然后拿到台积电重新流片封装,重新开发固件,至少需要5个月时间,那么这个定项可以溯源到2015年初了,这个时间段,MARVELL只有一款NVMe1.1的PCIE3.0X4主控88SS1093。
25.jpg

88SS1093以28nm制程打造,封装与thermal规格可相容M.2 SSD之制作;电​​气规格支持4 lanes PCIe传输,可依制造商的设计调整为4GB/s或是2GB/s的运作模式,内部设计针对NVMe 1.1规格进行硬体层级的命令快取最佳化,与out-of-order data return激发NAND FLASH进一步的性能潜能,支持SRIS可让SATA Express 扩张到PCIe 3.0规格,在NAND Flash方面,88SS1093导入了先前在88SS1074 SATA SSD控制器发表的NANDEdge error-correcting、low-density parity check (LDPC) 技术,强化的纠错、校正技术可让88SS1093支持15nm TLC甚至是未来的3D V-NAND,借此可以降低整体成本,同时将容量提升至最大2TB。--marvell

618x412xMarvell_3_1024x683(1).jpg
这是THE SSD REVIEW外媒展示的MARVRLL 88SS1093的样盘,那么我们可以看到正面8颗闪存 下方2颗缓存,背面也是一致的,那么88SS1093这个样盘的PCB应该是最大16颗闪存,4颗缓存。虽然88SS1093跟
TC58NC1032GTC也没啥直接关系了,但是作为一个参考还有价值的

东芝TC58NC1032GTC应该是根据MARVELL在88SS1093上面所取得的突破性技术进行深度研发和改良的定制版主控,也许加了通道,也许削减了逻辑门,简单来说我认为已经和MARVELL没多大血缘关系了,最大容量已经提高到了3.2TB,而且88SS1093为了适配M2 SSD的紧凑环境主控上面没有散热片设计,TC58NC1032GTC为了适合企业级散热的要求,封装的时候加入了铁壳封装,根据3.2T/1.6T/800GB容量速度一致的官标,还有18颗闪存有外媒认为这颗主控很可能是18通道的产品。我的看法稍有不同,我认为很可能是18通道实际只有16通道并行生效的产品,16颗64GB闪存组成1T的容量,200GB作为OP存在,800GB实际可用容量,还有2个通道2个64GB的闪存作为备用。这样18个闪存全部有了交代。这么说有什么依据呢?

203.JPG

在东芝高耐久的SAS 12G系列企业级SSD里使用的主控也是TC58NC1032GTC,我们可以明确看到16通道的并行。
那么我觉得我还是缺乏一个强有力的数据,如果这个PX04PMB080在SMART数据里显示的总容量是1152GB,那么说明我是错误的,因为压根没有2个闪存的备用块,所有颗粒完全用到了一线上面,那么这个盘真的是18通道全部生效的。
如果显示总容量是1024GB,那么我说的就是正确的,确实预留了2个64GB闪存共128GB的备用块,那么这个盘即使确实18通道但是实际16通道即时生效的。
101.JPG 104.JPG
所以我找到了NVME的SMART工具看了下,确实容量是1TB=1024GB,OP了200GB之后,剩余800GB可用容量,另外有2个闪存被当作备用块了,是为了防止万一发生的颗粒挂掉,这2个通道的闪存可以随时顶上去,同时也是保证高耐久的硬件配置。

TH58TFG9EFKBA8C这颗闪存其实很陌生,以前从未见到有产品采用,应该是东芝自家特供的闪存类型。
26.jpg
东芝的编号其实规则很好掌握,我随手画了一张TH58TFG9EFKBA8C的编号图,供大家参考。
TH58TFG9EFKBA8K.JPG
同时为了避免太多冗繁的信息量摄入,我把上面的编号图精简了一下,红色的方框为重点关注参数,这样大家就很简单可以认识到TH58TFG9EFKBA8C是东芝A19NM制成64GB单颗的EMLC颗粒,内部4个PLANE(Die)/4CE。
QQ图片20160402214225.png

镁光5ME77 D9BQJ缓存颗粒
27.jpg

D9BQJ这个编号代表采用的是MT41K512M8RH-125系列的缓存颗粒,标准参数4Gb=512MB,1.35V标准的DDR3L电压,频率DDR3-1600。四颗5ME77 D9BQJ组成了2GB的缓存容量。
Micron Technology, Inc. - MT41K512M8RH-125_副本.jpg

下面简单说下掉电保护的原理:
大部分SSD控制器通过内部集成RAM或外部扩展RAM方式增加缓存,每次计算机系统内存的数据写到SSD时,都先写到SSD的缓存中,SSD控制器再将缓存中的数据写入到NAND Flash中。因此,在电源没有任何保护措施的情况下,如果SSD突然掉电(即外部供电在突发意外情况下发生浪涌或断电),将会造成缓存中的数据完全丢失,轻则丢失数据,重则导致系统崩溃。
Image [2].jpg
图1:无掉电保护机制的SSD

为了防止这种情况发生,我们需要增加一种机制,以下称之为掉电保护,用于预防SSD缓存中的数据丢失。
掉电保护增加了2部分功能,一部分是电压检测模块,用于检测外部电压过低时,向SSD控制器产生中断;另一部分功能则是电源储能模块,用于在外部电压过低时能够给SSD提供足够长时间的续航能力。当电压检测模块检测到外部电压过低时,将产生一个中断给SSD控制器,同时电源储能模块启动供电,SSD控制器接收到中断之后将SSD缓存中的数据保存至NANDFlash中。整个过程中,电源储能模块的持续续航能力足以保证SSD控制器将缓存中的数据完全保存至NANDFlash中,从而实现掉电保护。如图2所示:
Image.jpg
图2:带掉电保护功能的SSD

增加掉电保护功能,将大大增加SSD的使用安全性,可以满足对数据完整性要求较高的应用场合,如航空航天系统,国防军用系统,电力系统,银行证券系统等。

MP5505A 是Monolithic Power System专为SSD设计的电能储存与管理芯片,负责电容充放电管理,它将输入电压输给一个高电压的储能电容,并在一个输入中断的情况下,保持一定时间内电能释放。储能电路位于PCB上,包括断电保护电容、升降压电感和用于电压监控的三极管等。
28.jpg

在充电时MP5505A 将电压从5V升高后存储到35V电容当中,当发现输入电压低于阈值时则控制35V 220UF的6颗电解电容放电来实现掉电保护功能。
29.jpg
其实不同家的掉电保护方案不一样,采用什么电容根据电能管理芯片的性能来决定。东芝采用的是一个Monolithic Power System 成品的方案,而INTEL NVMe很多采用的是完全的OEM定制方案,这里没有可比性。

MP8632是Monolithic Power System 设计的一个完全集成的高频率的同步整流降压开关转换器。
32.jpg
它提供了一个非常紧凑的解决方案实现4A / 6A/8A/10A / 12A / 15A或20A的输出电流在很宽的输入电压范围内具有优异的负载和线路调整。它具有完全集成的保护功能,包括过流保护、过电压保护和热关断。

下面简单说下东芝SSD的ECC机制:

一级ECC采用的是东芝独创的QSBC(Quadruple Swing-By Code),翻译过来四联摆动ECC,其本质可以理解成多层ECC。多层ECC的好处就是保护机制健全,纠错能力强,破了一层还有一层,缺点就是延迟随着层数的提升而不断增大。
二级ECC东芝多采用Hamming ecc

ECC就是“Error Correcting Code”的简写,数据检测与误差修正编码,因为闪存中会有出错的可能,如果没有使用ECC模块,读出的数据和写入的数据会有不匹配的可能,也许一个文件中只有一两个bit不匹配,这也是不能容忍的。相对来说SLC中出错概率比较低,所以使用一个纠错能力不强的Hanming码就可以了,在MLC中Hanming码就显得力不从心了,需要纠错能力更强的BCH码了。

NAND闪存的ECC比较多见的:Hamming汉明码,BCH码,LDPC(低密度奇偶校验)等。
1、Hamming汉明码是经常使用在早代SLC闪存。汉明码的计算通过软件实现简单,占用资源比BCH小,但是效果也比BCH弱。
2、BCH码具有嵌段长度和误差的灵活性校正能力。和功率消耗小相对于纠错能力。BCH擅长处理随机错误,由于NAND Flash自身的特点,出现随机错误的概率更大一些,所以在MLC中目前应用最多的还是BCH方式。
3、LDPC码的纠错能力是非常高的。但对于功耗和处理问题所需的时间要求很高。

为了解决这个权衡,东芝开发自己的错误检测和校正技术QSBC™(Quadruple Swing-By Code)。这种所谓的专利技术,我觉得有夸大的成分在里面,号称达到LDPC码的8倍,加上是个保护专利,东芝还是宣传效果的多,具体代码谈的少。

大家知道即使是校验错误,如奇偶校验或者CRC校验都需要在原始信息数据的基础上增加一些额外的数据。能够纠正错误的ECC需要额外的数据空间保存纠错码生成的校验数据。所以在NAND Flash中Page的1K数据并不是1024Byte,大多数是1024+32Byte, 有的是更多的额外空间;额外空间越多意味着可以使用纠错能力越强的ECC,因为对于同一ECC算法纠错能力越强需要的额外空间越大。

为了提高数据存储在闪存中的可靠性,东芝企业级主控至少提供1级和2级的ECC纠错功能,当检测到错误时,数据首先通过闪存控制器提供的一级ECC(QSBC)。如果错误无法被一级ECC校正,数据会下传到闪存控制器外部二级ECC(Hamming ECC)。

第五章 测试工具

1、硬件工具

我采用的测试转接板是深圳一个工程师自主研发的桥接子板,深圳代工,只在美亚 EBAY销售,国内没有代理也没有销售商,甚至你在淘宝上找不到此款产品。
20.jpg 21.jpg


这款转接板能直接将U2接口转PCIEX4接口插在主板的PCIE槽上使用,兼容性很好。
23.jpg 24.jpg 22.jpg
其实盘我一个多月前就拿到了,委实是为了找这个转接板找了一个月时间,其实这个板子到手之后我也是近几天才开始测试的。起初考虑采用M2转U2 KIT子卡加U2线的方式测试,但是后来发现不同产家的M2转U2子卡的兼容性完全不一致,很多卡比如微星华擎的插到别家主板上不认,所以后来选择了U2转PCIE的方案。


IMGP2014.JPG IMGP2021.JPG QQ图片20160406233217.png

2、软件工具

NVME的SMART工具很少很特殊,一般都是厂家自带的TOOLBOX,但是东芝压根就没放出来TOOLBOX,这里就要用到一个用具NARAEON NVME TOOLS,这个工具不是我发现的,来自网友111ALAN的推荐。

101.JPG 102.JPG 103.JPG 104.JPG

原下载溯源:http://naraeon.net/en/latest-nvme-tools

SECURE EARSE在NVME SSD也是个难题,INTEL有自己的TOOLBOX,但是东芝是啥都没有,没有关系,同样来自111ALAN推荐的一款工具可以完成这个难题。

原下载溯源:https://sourceforge.net/projects/nvmetools/

使用REFUS软件烧录naraeon-nvme-live-20151224.ISO镜像到U盘中
106.JPG

正在烧录
107.JPG

烧录完成后重新启动引导
1_副本.jpg

找到磁盘管理器记住NVME SSD的卷标,如例上图PX04BMP080的卷标为/dev/nvme1n1p1
那么打开右侧的控制台,输入:sudo nvme format /dev/nvme1n1p1
即可完成NVME SSD的SECURE EARSE

最后感谢111ALAN提供了三个工具的百度网盘:http://pan.baidu.com/s/1o7E3Lfc 密码:50or

第六章 娱乐测试

为什么叫娱乐测试环节,因为企业级的SSD进行民用的跑分测试,这可能会不够严谨,但是我觉得娱乐一下并无大碍,反而恰恰是这个测试环节才是大家最感兴趣的地方,而且能让大家对企业级SSD的性能有一个比较直观的认知。
PX04PMB080单盘AS SSD BENCHMARK.微软NVME驱动下跑的
1.JPG
2 [2].JPG

单盘PCMARK8的磁盘系统得分
PC8.JPG

正好有双盘,所以我在WIN下,建立了一个区带软RAID0一下,看看效能如何。
r0.JPG

软RAID0性能块破8K分了。
R01.JPG


第七章、测试前准备工作

1、使用naraeon-nvme-live的安全擦除(Secure Erase)让 SSD 恢复出厂态。

1_副本.jpg

2、重启后,建立分区MBR分区,新建卷NTFS格式化。
201.JPG
202.JPG

3、用IOMETER1.1.0按下图操作对该盘进行填盘操作

测试深度QD32
设置写入模板为full random(完全随机

选择IDLE模板填盘,目的是让 IOMeter 向 SSD 写入和 SSD LBA 容量一样的测试文件。

设置1分钟,点开始。

4、执行两倍于 SSD 容量的 128KB 连续写操作
首先执行一次 1 分钟的 128KB 连续写操作,获得测试结果。




点开始测试1分钟之后,在我的文档中找到128 SEQ.CSV文件,打开看写入的平均速度(BINAR)为2559MB/S,写入IOPS是40474。
128-11.JPG
然后将 SSD 容量除以这个测试结果,获得执行两倍于 SSD 容量的 128KB 持续写操作所需要的时间。TOSHIBA PX04BMP080的测试结果是 2559MB/S,就用 (800GBX1024MBX2)/(2559MB)=640秒=10.67分钟,稍微宽松一些直接把128K SEQ的模板时间改12分钟进行填盘。当然如果经常喜欢测试的同学可以直接点左上方保存键,将128K SEQ填盘模板保存,这样以后直接点模板就可以执行任务,大大减轻测试负担。
128.JPG
128K QD32持续12分钟的写入的散点图,可以看基本都在2500MB/S左右,肯定超过官标的2350MB/S持续写入。
现在请注意,我们的盘是写满的状态下了!
然后执行3200秒的4K QD32随机写入测试:
4K2.JPG 4K1.JPG
曲最高14500最低12500的IOPS相对来说也是比较稳定的,但是距离官标18500 IOPS的官标还是有不小的差距存在。

第八章 INTEL企业级应用环境测试

企业级SSD寿命计算器 http://estimator.intel.com/ssdendurance/是INTEL根据在思科甲骨文等大公司投放企业级SSD在企业级应用的测试数据回收后建立的企业级模板,其中涉及到很多的企业级应用是非常真实可靠的。换句话说INTEL在产品服务和产品使用信息调研上投入的资金是其他任何一家公司无法相比的!那么在图的最右下角会有一个WRITE IOPS(MB/S)和TOTAL IOPS(MB/S)是什么,这是在设定的企业级应用下,运行出的写入速度和读写速度总和,我用INTEL的企业级应用的设定去模拟其运行的IOMETER模板,测试了P3600 400GB的企业级效能验证实验:http://koolshare.cn/thread-36625-1-1.html,结果是基本符合的,所以此次我将有这个模板来继续进行性能的探索。我在INTEL的库里挑选了几个典型代表意义的企业级应用模型建立IOMETER模板运行30分钟并且和INTEL官标企业级应用的速度进行对比。

1、数据仓库服务器

数据仓库的数据主要供企业决策分析之用,所涉及的数据操作主要是数据查询,一旦某个数据进入数据仓库以后,一般情况下将被长期保留,也就是数据仓库中一般有大量的查询操作,但修改和删除操作很少,通常只需要定期的加载、刷新。数据仓库中的数据通常包含历史信息,系统记录了企业从过去某一时点(如开始应用数据仓库的时点)到当前的各个阶段的信息,通过这些信息,可以对企业的发展历程和未来趋势做出定量分析和预测。
01.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=335.13MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=837.83MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=411.01MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=1027.52MB/S
我们在上面的网页中获取了建立数据仓库模板的设定,随机模式8K QD128,读60%写40%,然后直接在IOMETER里设定。设定完毕,运行半小时。
DATA WAREHOUSE.JPG
然后我计算出平均值:
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=449.23MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=1124.11MB/S
速度来说已经超越了P3700 1.6T的性能。但是这个模板跑起来有个性能的下落和回升的趋势,而且比较明显。

2、EMAIL和短信服务器

EMAIL和短信服务器很好理解,很多软件公司都有成熟的整套解决方案。
02.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=357.03MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=714.06MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=441.59MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=883.18MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,随机模式4K QD128,读50%写50%,然后直接在IOMETER里设定。设定完毕,运行半小时。
EMAIL.JPG
我们跑出的散点均匀稳定,然后我计算出平均值
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=325.19MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=650.23MB/S
这一轮只能说PX04PMB080比较接近P3700 800GB的读写效能,但是还是要略差一点。但是曲线跑出来无可挑剔,直线到底。

3、前端WEB服务器

前端WEB服务器指负责生成页面视图的服务器,一般需要能应付前面响应的大量IO,相对而言后端负责业务处理的服务器,相对地需要大量的运算CPU和内存,对IO响应要求不高,如果直接让后端也处理IO效能不好,所以前端负责缓冲着请求,然后向后端再请求服务,后端处理完响应后再响应返回,分开处理。
03.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=123.92MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=619.59MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=134.75MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=673.74MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,随机模式4K QD32,读80%写20%,然后直接在IOMETER里设定。
FEW.JPG
我跑出的散点均匀稳定无离群,然后我计算出平均值
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=122.24MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=608.36MB/S
这一轮PX04PMB080比较接近P3700 800GB的读写效能,但是还是要略差一点。但是曲线跑出来无可挑剔,直线到底。

4、文件服务器

文件服务是一台对中央存储和数据文件管理负责的计算机,这样在同一网络中的其他计算机就可以访问这些文件,举个简单的例子,我们家用的NAS就是一种文件服务器最简单的的民用模型。
04.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=29.90MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=149.50MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=29.82MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=149.11MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,随机模式4K QD4,读80%写20%,然后直接在IOMETER里设定。
FILE.JPG
我跑出的散点均匀稳定无离群,然后我计算出平均值
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=35MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=175MB/S
速度来说已经超越了P3700 1.6T的性能。速度平稳,直线到底。

5、OLTP数据库服务器

OLTP数据库服务器也称为面向交易的处理服务器,其基本特征是顾客的原始数据可以立即传送到计算中心进行处理,并在很短的时间内给出处理结果,OLTP是传统的关系型数据库的主要应用,主要是基本的、日常的事务处理,例如银行交易等,打个比方:京东利用OLTP数据库记录来PC或者APP终端通过网站输入的订单,当库存量降到指定级别时,京东的OLTP服务器会自动订购更多的货物。这是个典型的OLTP应用。
05.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=288.34MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=961.13MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=349.79MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=1165.95MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,随机模式8K QD128,读70%写30%,然后直接在IOMETER里设定。
OLTP.JPG
我跑出的散点均匀稳定无离群,然后我计算出平均值
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=354.71MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=1120.23MB/S
这一轮来看,PX04PMB080已经跑出了超越P3700 1.6T的性能,曲线平稳,几乎直线,如果非要说美中不足,就是200-400S内的一点性能小浮动。

6、流媒体播放服务器

流媒体播放服务器很容易理解,主要架构包括:内容管理,服务器支持,访问控制,举个例子:乐视、爱奇艺都有类似的开发项目。
06.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=144.89MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=1448.97MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=179.02MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=1790.185MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,持续模式64K QD128,读90%写10%,然后直接在IOMETER里设定。
STREAM.JPG
我跑出的散点均匀稳定,无离群,计算出平均值
WRITE IOPS(MB/S)蓝色=200.08MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=2001.56MB/S
这一轮来看,PX04PMB080已经稳稳跑出了超越P3700 1.6T的性能,曲线平稳,几乎直线,总输出速度的浮动来源于读取的浮动,写入还是非常稳定的。

7、虚拟化应用服务器

虚拟化应用服务器在WINSERVER里的Virtualization HyperV就是个典型的例子,玩过HP MIRCOSERVER GEN8的玩家应该相当熟悉,虚拟化技术在云计算中的应用的原理是将计算机的位置、服务差异、数据异构等屏蔽掉,提供给用户的是一个统一的接口,用户只需要提出自己的要求,就可以得到相应的信息和服务,所有实现细节都有云计算平台来实现。那我们的盛大云计算,就是典型的虚拟化服务器的服务应用。
07.JPG
因为我们处于满盘状态下,所以DUTY CYCLE(占空比)我拉到了100%,同时获得了P3700 800GB/1.6T的官方计算值。
P3700 800GB
WRITE IOPS(MB/S)=272.66MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=908.87MB/S
P3700 1.6T
WRITE IOPS(MB/S)=308.24MB/S
TOTAL IOPS(MB/S)=1027.47MB/S
我们在上面的网页中获取了建立模板的设定,随机模式4K QD128,读70%写30%,然后直接在IOMETER里设定。
virtual.JPG
我跑出的散点均匀,550秒速度开始下降,650秒开始反弹,然后我计算出平均值


WRITE IOPS(MB/S)蓝色=476.57MB/S

TOTAL IOPS(MB/S)橘红色=1587.83MB/S
这一轮来看,PX04PMB080已经稳稳跑出了超越P3700 1.6T的性能,但是曲线性能浮动较大,即使如此强大的主控,此时也会压力较大。

经过以上7轮的企业级应用虚拟评估,基本该盘的性能还是可圈可点,其实INTEL并不是达不到这个性能,而是限速和综合的寿命考量比较多,根据INTEL提供的企业级模板数据来看目测东芝是效能接近或者超越P3700 1.6T的,在多个项目里PX04PMB080的稳定性和抗压能力给我留下了极为深刻的印象。


总结:


TOSHIBA PX04PMB080作为我见到的第一款东芝美满深度定制版主控和A19 EMLC的企业级SSD,让我印象极为深刻,有几点不得不说:
1、东芝的服软件服务做的太差,TOOLBOX没有,专用的EARSE工具没有提供,SMART工具没有,如果不是第三方提供的话,这个盘完全无法评估指标
2、我对东芝这个PX04系列不同容量同样速度的做法表示很支持,统一去提供不同容量下的一致性高性能给不同容量的需求者这才是大厂风范。5年保修,每天10个P/E的写入量保证,还有200W小时的平均无故障时间,我很赞成这种计算简单的质量和寿命评估方法。
3、强大的负载性能我只能管中窥豹一下,但是已经表现极为强大了,动辄堪比INTEL P3700 1.6TB的负载效能让人大跌眼镜,这个产品还需要东芝去完善一些服务,让个人和企业有更多的评估可能性,才会为以后的市场布局拓开更广阔的渠道。



下期预告:东芝的高耐久企业级SSD至尊旗舰版






































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多好的盘,东芝就是没做宣传。

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发表于 2016-4-6 22:40:38 | 显示全部楼层

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性能超级强悍~~~~~~~~~~~~~~~~~

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个人用户用它太奢侈啊

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感谢分享!

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发表于 2016-4-6 23:20:27 | 显示全部楼层

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过过眼瘾先

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发表于 2016-4-6 23:27:12 | 显示全部楼层

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又是一篇专业大作啊。

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发表于 2016-4-6 23:43:57 | 显示全部楼层

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这速度厉害啊!
       各位亲爱的会员朋友,为了您在论坛不会因为违反规定而被XX!请仔细阅读各板块置顶的帖子!谢谢!还有你这样灌水,我不是没看见,我只是在找合适的机会XX你!!!

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发表于 2016-4-6 23:44:24 | 显示全部楼层

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价格杠杠的!

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发表于 2016-4-6 23:45:14 | 显示全部楼层

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这一块硬盘可以组装台不错的主机了吧?

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好东西,真口水~!!

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发表于 2016-4-6 23:46:54 | 显示全部楼层

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只能膜拜了!

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好东西 口水啊
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东芝的产品好像很久没接触过了……不管是电视还是笔记本硬盘

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我也想要一个啊

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发表于 2016-4-7 00:13:20 | 显示全部楼层

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性能杠杠的 价格也是

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跪了。

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发表于 2016-4-7 00:43:11 | 显示全部楼层

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东芝还是相当不错的

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发表于 2016-4-7 00:48:22 | 显示全部楼层

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关键是价格啊,如果和750一样或差不多,那没得选

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 楼主| 发表于 2016-4-7 00:58:39 | 显示全部楼层
xioahu77 发表于 2016-4-7 00:48
关键是价格啊,如果和750一样或差不多,那没得选

88SS1093的普及即将开始,低价民用级NVME SSD大容量会成为趋势,不再是三星INTEL天下了

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