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三星正式推出业界首款第三代HBM2E内存 推动高性能计算系

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发表于 2020-2-6 12:37:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
三星昨天宣布推出业界首款第三代HBM2E内存,新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成,单个封装可以达到16GB的总容量,并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率。
三星的这款HBM2E中可以堆叠8个1y nm制程的16Gb DRAM颗粒,内部连接使用的是TSV技术,不过8层这个数量并不是三星目前能够做到的极限,在去年十月份的时候他们就已经宣布了12层3D-TSV封装工艺,我们未来肯定可以看到更大容量的单颗HBM内存。
HBM2E是HBM2的升级版标准,由JEDEC在2018年标准化,官方标准中它的单颗堆叠带宽为307GB/s。而三星这次推出的新HBM2E在带宽上面有比较明显的提升,在默认的3.2Gbps下,单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的带宽,另外三星内部测试中新的HBM2E可以达到的最高传输速率为4.2Gbps,此时的带宽高达538GB/s,比上代产品高出75%。
实际上三星在去年三月份就已经发布了这款产品,不过这次是宣布它即将要进入量产。新的HBM2E预计在今年上半年进入量产环节,他们也会继续提供老的第二代产品。目前消费级显卡普遍放弃了高成本的HBM内存,选择了成本更低但带宽也足够用的GDDR6,不过在高性能计算市场中,HBM已经占据了很大的市场份额了,还有各种AI加速芯片也需要较高的内存带宽,像NVIDIA的计算卡就普遍采用了HBM2作为显存,新的HBM2E将会缓解内存方面的瓶颈,让计算性能不再受限于内存。


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